9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3812DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3812DV-T1-GE3参考价格为9.472美元。Vishay Siliconix SI3812DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP。您可以下载SI3812DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI3812DV-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI3805DV-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP，包括卷轴封装，它们设计用于SI3805DV E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 P沟道晶体管型，该器件具有1.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为40纳秒，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-电源电阻为84mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为18ms，沟道模式为增强。
SI3805DV-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作84毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1.1W，该器件以SI3805DV-GE3零件别名提供，该器件具有一个包装卷，包装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为3A，配置为单肖特基二极管。
SI3803DV-T1，电路图由SILICONIX制造。SI3803DV-T1采用SOT163封装，是IC芯片的一部分。
