9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3853DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3853DV-T1-GE3参考价格为0.8美元。Vishay Siliconix SI3853DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 1.6A 6TSOP。您可以下载SI3853DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI3851DV-T1-GE3是MOSFET 30V 1.8A 1.15W 200mohm@10V，包括卷轴封装，它们设计用于SI3851DV GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 P沟道晶体管型，该器件具有830 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.6 a，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，漏极-漏极电阻为200 mOhms，晶体管极性为P沟道。
SI3853DV-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6引脚TSOP T/R。SI3853DV-T1在SOT23-6封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6引脚TSOP T/R。
SI3853DV-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP。SI3853DV-T1-E3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP、P沟道20V 1.6A（Ta）830mW（Ta）表面安装6-TSOP和Trans MOSFET P-CH20V 1.6A 6-引脚TSOP T/R。
