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SI7858DP-T1,销细节由VISHAY制造。SI7858DP-T1采用QFN8封装,是IC芯片的一部分。
SI7858DP-T1-E3,带有VISHAY制造的用户指南。SI7858DP-T1-E3采用QFN8封装,是IC芯片的一部分。
SI7860ADP-T1,带有VISHAY制造的电路图。SI7860ADP-T1采用QFN封装,是FET的一部分-单个。
SI7860ADP-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8。SI7860ADP-T1-E3在PowerPAK®SO-8封装中提供,是FET的一部分-单个,支持MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8、N沟道30V 11A(Ta)1.8W(Ta)表面安装PowerPAK?SO-8,Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8引脚PowerPAK SO T/R。