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SI3867DV-T1,引脚细节由VISHAY制造。SI3867DV-T1采用SOT-23封装,是FET的一部分-单个。
SI3867DV-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP。SI3867DV-T1-E3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP、P沟道20V 3.9A(Ta)1.1W(Ta)表面安装6-TSOP。
Si3867DV-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP。Si3867DV-T1-GE3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP、P沟道20V 3.9A(Ta)1.1W(Ta)表面安装6-TSOP。
SI3879DV-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP。SI3879DV-T1-E3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装,是FET的一部分-单体,并支持MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP、P沟道20V 5A(Tc)2W(Ta)、3.3W(Tc)表面贴装6-TSOP和Trans MOSFET P-CH20V 4A 6-Pin TSOP T/R。