9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4102DY-T1-E3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4102DY-T1-E3价格参考1.942美元。Vishay Siliconix SI4102DY-T1-E3封装/规格:MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO。您可以下载SI4102DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4100DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC,包括卷轴封装,它们设计用于SI4100DY-GE3零件别名,单位重量显示在数据表注释中,用于0.006596盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于SOIC窄8,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有2.5 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为10 ns,上升时间为12 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为4.4 a,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V,Rds导通漏极-漏极电阻为63mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为12ns 15ns,典型接通延迟时间为15ns 10ns,Qg栅极电荷为13.5nC,沟道模式为增强型。
Si4101DY是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC。Si4101DY采用8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC。
Si4102DY,电路图由VISHAY制造。Si4102DY在SOP-8封装中提供,是FET的一部分-单个。