9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7866ADP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7866ADP-T1-GE3参考价格为1.042美元。Vishay Siliconix SI7866ADP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8。您可以下载SI7866ADP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7866ADP-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8，包括卷轴封装，它们设计用于SI7866ADP-T1零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为5.4 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns 9 ns，上升时间为120 ns 105 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为20V、Rds导通漏极-漏极电阻为2.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns 49ns，典型接通延迟时间为34ns 18ns，沟道模式为增强。
SI7864ADP-T1-GE3是MOSFET 20V 29A 5.4W 3.0mohm@4.5V，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870 oz，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作漏极-源极电阻上的3mOhms Rds。此外，Pd功耗为1.9 W，该器件以SI7864ADP-GE3零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为18 a，配置为单一。
SI7866ADP，带有TEXAS制造的电路图。SI7866ADP在QFN8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI7866ADP-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8引脚PowerPAK SO T/R。SI7866ADP-T1采用QFN封装，是FET的一部分-单个，支持Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8引脚PowerPAK SO T/R。
