9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4158DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4158DY-T1-GE3参考价格$4.198。Vishay Siliconix SI4158DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO。您可以下载SI4158DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4154DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI4154DY-GE3中使用的零件别名，该SI4154DY-GE3提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为7.8W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为4230pF@220V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为36A（Tc），最大Id Vgs的Rds为3.3mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为105nC@10V，Pd功耗为3.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35ns，上升时间为70ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为36A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型导通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为75S，并且信道模式是增强。
SI4156DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商器件封装为8-SO，器件为TrenchFETR系列，器件具有6 mOhm@15.7A，10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为6 mOhms，最大功率为6W，Pd功耗为6 W，零件别名为SI4156DY-GE3，封装为Digi-ReelR Alternative Packaging，封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为1700pF@15V，Id连续漏极电流为24A，栅极电荷Qg Vgs为42nC@10V，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物和FET特性是标准的，漏极到源极电压Vdss是30V，电流连续漏极Id 25°C是24A（Tc），配置是单一的。
SI4156DY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4156DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SI4156DY-T-GE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4156DY-T-GE3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
