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APT7M120B是MOSFET N-CH 1200V 8A TO247，包括卷轴封装，设计用于1.340411盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供POWER MOS 8等商标功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该器件还可用作335 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为13 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为8 a，Vds漏极-源极击穿电压为1200 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为80nC，正向跨导最小值为8S，沟道模式为增强。
APT7M120S是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括硅技术。
APT8011带有APT制造的电路图。APT8011可在模块包中获得，是模块的一部分。
