9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4346DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4346DY-T1-GE3参考价格为1.82美元。Vishay Siliconix SI4346DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 5.9A 8SO。您可以下载SI4346DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4346DY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4346DY E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.31W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.9A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为23mOhm@8A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10nC@4.5V，Pd功耗为1.31 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为11纳秒，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为5.9A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为23mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为9ns，沟道模式为增强。
SI4340DY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO，包括2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与14-SOICN供应商器件包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如12 mOhm@9.6A，10V，Power Max设计为工作在1.14W，1.43W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作14-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有15nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），且FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为7.3A，9.9A。
SI4346DY，带有SI制造的电路图。SI4346D可在SOP-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
