9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM100DA18TG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM100DA18TG参考价格为111.21625美元。微芯片技术APTM100DA18TG封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 43A SP4。您可以下载APTM100DA18TG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM100AM90FG是MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6，包括散装封装，它们设计为与SP6封装盒一起工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在SP6中工作，以及2 N沟道（半桥）FET类型，该器件还可以用作1250W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为1000V（1kV），该器件提供20700pF@25V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C时的电流连续漏极Id为78A，最大Id Vgs的Rds为105mOhm@39A，10V，Vgs最大Id为5V@10mA，栅极电荷Qg Vgs为744nC@10V。
APTM100A40FT1G是MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1，包括5V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP1供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于480mOhm@18A，10V，提供功率最大功能，如390W，包装设计用于批量工作，以及SP1包装箱，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供7868pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有305nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为1000V（1kV），电流连续漏极Id 25°C为21A。
APTM100A46FT1G是MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1，包括19A电流连续漏极Id 25°C，设计用于1000V（1kV）漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于260nC@10V，除了6800pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP1封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为357W，最大Id Vgs的Rds为552 mOhm@16A，10V，供应商设备封装为SP1，Vgs th Max Id为5V@2.5mA。
APTM100A23STG是MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4，包括标准FET功能，它们设计为与SP4封装外壳一起工作，供应商设备封装如SP4中使用的数据表注释所示，提供安装类型功能，如机箱安装，封装设计为批量工作，以及8700pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作694W最大功率。此外，Vgs最大Id为5V@5mA，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该器件具有36A的电流连续漏极Id 25°C，栅极电荷Qg Vgs为308nC@10V，最大Id Vgs的Rds为270 mOhm@18A，10V，FET类型为2 N沟道（半桥），漏极到源极电压Vdss为1000V（1kV）。
