9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM20SKM08TG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM20SKM08TG参考价格为112.43500美元。Microchip Technology APTM20SKM08TG封装/规格：MOSFET N-CH 200V 208A SP4。您可以下载APTM20SKM08TG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM20HM20FTG是MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4，包括散装封装，它们设计为与SP4封装盒一起工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SP4中工作，以及4 N沟道（H桥）FET类型，该设备也可以用作357W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为200V，该器件提供6850pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C时电流连续漏极Id为89A，最大Id Vgs的Rds为24 mOhm@44.5A、10V，Vgs最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg-Vgs为112nC@10V。
APTM20HM20STG带有用户指南，包括5V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP4供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于24 mOhm@44.5A，10V，提供功率最大功能，如357W，包装设计用于散装，以及SP4包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供6850pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有112nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为200V，25°C电流连续漏极Id为89A。
APTM20HM16FTG是MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4，包括104A电流连续漏极Id 25°C，设计用于200V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如4 N沟道（H桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于140nC@10V，除了7220pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为390W，Rds On Max Id Vgs为19mOhm@52A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为5V@2.5mA。
