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SI4362BDY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC,包括卷轴封装,它们设计用于SI4362BDY-E3零件别名,单位重量显示在数据表注释中,用于0.006596盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装外壳设计用于SOIC窄8,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有3 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为7 ns 8 ns,上升时间为11 ns 10 ns,Vgs栅源电压为12 V,Id连续漏极电流为19.8A,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Rds导通漏极-电源电阻为4.6mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为41ns 47ns,典型接通延迟时间为26ns 12ns,沟道模式为增强。
SI4362-B1B-FMR是IC EZRADIO PRO RX 20QFN,包括1.8 V~3.6 V电源,它们设计用于与20-QFN(4x4)供应商设备包一起工作,系列如数据表注释所示,用于EZRADIO PROR,提供-126dBm等灵敏度特性,包装设计用于磁带和卷轴(TR)交替包装,以及20-VFQFN裸露衬垫包装盒,其工作温度范围为-40°C~85°C。此外,调制或协议为FSK、GFSK、MSK、ASK、OOK,设备的频率为142MHz~1.05GHz,设备的最大数据速率为1Mbps,数据接口为PCB,表面贴装,电流接收为13mA,应用为通用,天线连接器为PCB,面贴装。
SI4362BDY-T1,带有VISHAY制造的电路图。SI4362BDY-T1在SOP8封装中提供,是FET的一部分-单个。
SI4362BDY-T1-E3-PBF,带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4362BDY-T1-E3-PBF采用SOP8封装,是IC芯片的一部分。