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NTTD1P02R2是MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与8-TSSOP一起工作，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能。供应商设备封装设计用于Micro8？以及2 P通道（双）FET类型，该设备也可用于500mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供265pF@16V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为1.45A，最大Id Vgs上的Rds为160mOhm@1.45A，4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为10nC@4.5V。
NTTD1P02R2G是MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO，包括1.4V@250μ？供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于160 mOhm@1.45A，4.5V，提供功率最大功能，如500mW。包装设计用于磁带和卷轴（TR）以及8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供265pF@16V输入电容Cis-Vds，该器件具有10nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 P通道（双），且FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为1.45A。
NTTD4401FR2是ON公司生产的MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO。NTTD4402FR2有8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH20V 2.4A 10MICRO，P沟道20V 2.4A（Ta）780mW（Ta）表面贴装Micro8？。
