9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDD5N53TM_WS，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDD5N53TM_WS参考价格为9.036美元。onsemi FDD5N53TM_WS封装/规格：MOSFET N-CH 530V 4A DPAK。您可以下载FDD5N53TM_WS英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FDD5N53TM_WS价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FDD5N50TM_WS带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计用于0.009184盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供40 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极导通电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为13ns，沟道模式为增强。
FDD5N50UTM_WS带有用户指南，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为27 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在21纳秒上升时间内提供，器件具有2欧姆Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为40 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3A，下降时间为20ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDD5N50U，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDD5N50U提供TO-252封装，是FET的一部分-单。
FDD5N50UTM，带有FAI制造的EDA/CAD模型。FDD5N50UTM在TO252封装中提供，是FET的一部分-单个。
