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FDPF15N65是MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F，包括UniFET？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.080072盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220F，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为38.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为650V，输入电容Cis-Vds为3095pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为15A（Tc），最大Id Vgs的Rds为440 mOhm@7.5A，10V，Vgs的最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为63nC@10V，Pd功耗为38.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为65 ns，上升时间为125ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为440mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为105ns，典型导通延迟时间为65ns，沟道模式为增强型。
FDPF16N50是MOSFET N-CH 500V 16A TO-220F，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如40 ns，典型的关闭延迟时间设计为65 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为150 ns，器件的漏极电阻为380 mOhms，Pd功耗为38.5 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为16 A，正向跨导最小值为23 S，下降时间为80 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FDPF16N50T是MOSFET N-CH 500V 16A TO-220F，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于80 ns，提供Id连续漏极电流功能，如16 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为38.5W，Rds漏极-源极电阻为380 mOhms，上升时间为150 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为65 ns，典型接通延迟时间为40ns，单位重量为0.080072oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为30V。
FDPF16N50UT是MOSFET N-CH 500V 15A TO-220F-3，包括管封装，它们设计用于TO-220-3封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N沟道，以及80 ns的下降时间，该装置也可以用作65ns典型关断延迟时间。此外，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，该器件以5 V Vgs栅极-源极阈值电压提供，该器件具有40 ns的典型开启延迟时间，Pd功耗为38.5 W，Rds漏极源极电阻为370 mΩ，Qg栅极电荷为32 nC，Vgs栅极源极电压为30 V，正向跨导最小值为23 S，上升时间为150ns，Id连续漏电流为15A，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.080072oz。
