9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF40NF03L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF40NF03L参考价格$2.624。STMicroelectronics STF40NF03L封装/规格：MOSFET N-CH 30V 23A TO220FP。您可以下载STF40NF03L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STF40NF03L价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STF3NK80Z是MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP，包括SuperMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.071959盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220FP，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为25W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为485pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.5A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为4.5 Ohm@1.25A，10V，Vgs最大Id为4.5V@50μA，栅极电荷Qg Vgs为19nC@10V，Pd功耗为25W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为27ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型导通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为19nC，并且前向跨导Min为2.1S，并且信道模式为增强。
STF40N60M2是MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于25 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如650 V，该器件也可以用作96纳秒的典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有技术Si，供应商器件封装为TO-220FP，系列为MDmesh？II Plus，上升时间为13.5 ns，Rds On Max Id Vgs为88 mOhm@17A，10V，Rds On Drain Source电阻为88 mOhm，Qg栅极电荷为57 nC，功率最大值为40W，Pd功耗为40 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3全封装，工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Ciss Vds为2500pF@100V，Id连续漏极电流为34 A，栅极电荷Qg Vgs为57nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为11ns，漏极到源极电压Vdss为600V，25°C的电流连续漏极Id为34A（Tc），配置为单一。
STF40N65M2带有电路图，包括通孔安装型，设计用于to-220FP-3包装箱，包装如数据表注释所示，用于管，提供MDmesh M2等系列功能，技术设计用于Si，以及0.081130盎司单位重量。
STF3NK80ZFP带有STF3NK80制造的EDA/CAD模型。STF3NK80-ZFP采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
