9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF5NK52ZD，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF5NK52ZD参考价格$5.804。STMicroelectronics STF5NK52ZD封装/规格：MOSFET N-CH 520V 4.4A TO220FP。您可以下载STF5NK52ZD英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF5NK100Z是MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO220FP，包括SuperMESH3？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220FP，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为30W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Cis-Vds为1154pF@25V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为3.5A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为3.7Ohm@1.75A，10V，Vgs最大Id为4.5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为59nC@10V，Pd功耗为125W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为7.7ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为3.5A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.7欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为51.5ns，典型导通延迟时间为22.5ns，Qg栅极电荷为42nC，并且前向跨导Min为4S，并且信道模式为增强。
STF5N95K5是MOSFET N-CH 950V 2Ohm（典型3.5A齐纳保护），包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于950 V，提供单位重量功能，如0.011640 oz，典型开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的MDmesh K5，上升时间为16ns，Rds漏极-源极电阻为2欧姆，Qg栅极电荷为12.5nC，Pd功耗为25W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为3.5 A，下降时间为25 ns，配置为单一。
STF5N95K3是MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP，包括单一配置，它们设计为在18 ns下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于4 a，提供安装类型功能，如通孔，通道数设计为在1个通道中工作，以及to-220-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，Pd功耗为25W，器件采用19nC Qg栅极电荷，器件具有3欧姆Rds漏极-源极电阻，上升时间为7ns，系列为N沟道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为17ns，单位重量为0.011640oz，Vds漏极-源极击穿电压为950V，Vgs栅极-源极电压为30V。
STF5N62K3是MOSFET N-Ch 620V 1.28V Ohm 4.2A SuperMESH 3，包括管封装，它们设计用于to-220-3封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供配置功能，如单孔，技术设计用于Si，以及N沟道MDmesh系列，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，Vds漏极-源极击穿电压为620 V，器件提供4.2 A Id连续漏极电流，器件具有30 V Vgs栅极-源极电压，Qg栅极电荷为26 nC，Pd功耗为25 W，Rds漏极源极电阻为1.6欧姆，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.011640盎司，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
