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STF8NM60ND

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥22.64131
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22.64
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22 nC@10 V
  • 供应商设备包装 TO-220FP
  • 最大功耗 25W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 560 pF @ 50 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 700毫欧姆 @ 3.5A, 10V

STF8NM60ND 产品详情

STF8NM60ND所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STF8NM60ND 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STF8NM60ND价格参考¥22.641305,你可以下载 STF8NM60ND中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STF8NM60ND规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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