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CSD16323Q3是MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有8-VSON（3.3x3.3）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为25V，输入电容Ciss Vds为1300pF@12.5V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为21A（Ta），60A（Tc），Rds On最大Id Vgs为4.5 mOhm@24A，8V，Vgs th最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.4nC@4.5V，Pd功耗为3 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为6.3 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为21 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs第N栅极-源极端电压为1.1 V，Rds漏极源极电阻为4.4 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为5.3ns，Qg栅极电荷为6.2nC，信道模式为增强。
CSD16323Q3C是MOSFET N-CH 25V 60A 8SON，包括1.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1.1 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于10 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如25 V，晶体管类型设计用于2 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作NexFET商品名。此外，该技术为硅，该设备采用8-SON暴露垫（3x3）供应商设备包，该设备具有NexFET？串联，Rds On Max Id Vgs为4.5 mOhm@24A，8V，Rds On漏极-源极电阻为5.5 mOhm，Qg栅极电荷为6.2 nC，功率最大值为3W，Pd功耗为3 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerTDFN，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Cis-Vds为1300pF@12.5V，Id连续漏电流为21A，栅极电荷Qg-Vgs为8.4nC@4.5V，正向跨导Min为108S，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为25V，电流连续漏极Id 25°C为21A（Ta）、60A（Tc），配置为单一。
CSD16325Q5是MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON，包括单一配置，它们设计为在12 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了159 S中使用的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流特性，如33 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用VSON-Clip-8封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为3.1W，Qg栅极电荷为18nC，Rds漏极源极电阻为2.2mOhm，上升时间为16ns，系列为CSD16325Q5，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为10.5ns，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极电压为10V，Vgs栅-源极阈值电压为1.1V。
