9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STU8NM60ND，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STU8NM60ND参考价格$8.314。STMicroelectronics STU8NM60ND封装/规格：MOSFET N-CH 600V 7A IPAK。您可以下载STU8NM60ND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STU8N80K5是MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A齐纳保护型，包括MDmesh K5系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于IPAK-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有110 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为6 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为950mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为16.5nC，沟道模式为增强。
STU8N65M5是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 7A IPAK。STU8N6M5提供TO-251-3短引线、IPAK、TO-251AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH650V 7A IPAK、N沟道650V 7A（Tc）70W（Tc）通孔I-Pak。
STU8NB90I带有ST制造的电路图。STU8NB40I采用MAX-220封装，是IC芯片的一部分。
STU8NC80Z，带有ST制造的EDA/CAD模型。STU8NC70Z采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
