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IPI80N04S4L-04是MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI80NO4S4L04AKSA1 IPI80NO 4S4L04XK SP000646192的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.073511盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-262-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有80A的Id连续漏电流，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极源极电阻为4.2mOhm，晶体管极性为N信道。
IPI80N04S4-04是MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括40V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性功能，如N沟道，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，Rds漏极源极电阻为4.2 mOhms，该器件采用IPI80N04S404AKSA1 IPI80NO4S404XK SP000646190零件别名，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为80 a。
IPI80N06S2-07，带有INF制造的电路图。IPI80NO6S2-07采用TO-262-3封装，是FET的一部分-单体。
