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IPI90N06S4L-04是MOSFET N-Ch 60V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI90NO6S4L04AKSA1 IPI90NO 6S4L04AK SA2 IPI90N 6S4L04XK SP001028760的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，该设备也可以用作I2PAK-3包装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为150 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为90A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为140ns，典型导通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为133nC，并且信道模式是增强。
IPI90N06S4-04是MOSFET N-Ch 60V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性功能，如N沟道，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，漏极源极电阻Rds为3.7 mOhms，该器件采用IPI90N06S404AKSA1 IPI90NO6S404AKSA 2 IPI90NO 6S404XK SP001028758零件别名，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为90 a。
IPI90N06S4L04AKSA2是MOSFET MOSFET，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-262-3封装盒一起工作。封装如用于管的数据表注释所示，提供部件别名功能，如IPI90NO6S4L-04 IPI90NO 6S4L04XK SP001028760，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
IPI90N06S404AKSA2是MOSFET MOSFET，包括管封装，它们设计为与to-262-3封装盒一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计用于IPI90NO6S4-04 IPI90N6S404XK SP001028758以及IPI90NO 6系列，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，信道数为1信道。
