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CSD16407Q5是MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON，包括CSD16407Q 5系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于VSON-Clip-8以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为18.4 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏电流为31 a，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为11.9ns，Qg栅极电荷为13.3nC，正向跨导最小值为111S，沟道模式为增强。
CSD16406Q5带有TI制造的用户指南。CSD16406Q 5采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
CSD16407带有TI制造的电路图。CSD16407采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
