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IPI90R340C3是MOSFET N-Ch 900V 15A I2PAK-3 CoolMOS C3，包括CoolMOS C4系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI90R140C3XK IPI90R440C3XKSA1 SP000683082，提供单位重量功能，如0.073511盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-262-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为208 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为15A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-漏极电阻为340mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为400ns，典型接通延迟时间为70ns，沟道模式为增强。
IPI90R1K2C3是MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如70 ns，典型的关闭延迟时间设计为400 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有CoolMOS C3系列，上升时间为20 ns，漏极源极电阻Rds为1.2欧姆，Pd功耗为83 W，部件别名为IPI90R1K2C3XK IPI90R2K2C3XKSA1 SP000683080，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为5.1 A，下降时间为40 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPI90R500C3是MOSFET N-Ch 900V 11A I2PAK-3 CoolMOS C3，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于25 ns，提供Id连续漏电流功能，如11 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-262-3，器件采用管式封装，器件具有IPI90R500C3XK IPI90R400C3XKSA1 SP000683084部件别名，Pd功耗为156W，漏极电阻Rds为390mOhms，上升时间为20ns，系列为CoolMOS C3，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为400ns，典型接通延迟时间为70ns，单位重量为0.073511oz，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPI90R340C3（9R340C），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPI90R340C3（9R340C）采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
