9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF5N52U，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF5N52U参考价格$2.38。STMicroelectronics STF5N52U封装/规格：MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP。您可以下载STF5N52U英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF5N105K5带有引脚细节，包括MDmesh K5系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可用于1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有25W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为8.5 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为1050V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.9欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为15.5ns，Qg栅极电荷为12.5nC，沟道模式为增强。
STF5N52K3是MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220FP，包括30 V Vgs栅极-源极电压，设计用于525 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为29 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为11 ns，漏极-源极电阻Rds为1.5欧姆，Qg栅极电荷为17 nC，Pd功耗为25 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为4.4 A，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF57N65M5是MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP，包括26.5 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装方式，数据表中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供TO-220-3等封装外壳功能，封装设计用于管内，以及40 W Pd功耗，该器件也可以用作63mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，该系列为MDmesh M5，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.011640盎司，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
