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NTB6413ANT4G是MOSFET NFET D2PAK 100V 40A 30MO，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供136 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为42 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为28 mOhms，并且晶体管极性是N沟道。
NTB65N02R是ON公司制造的MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK。NTB65NO2R有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH25V 7.6B D2PAK。
NTB65N02RG是ON公司制造的MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK。NTB65NO2RG有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是IC芯片的一部分，支持MOSFET N-CH25V 7.6B D2PAK、N沟道25V 65A（Tc）1.04W（Ta）、62.5W（Tc。
