9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STI30NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STI30NM60N参考价格为10.268美元。STMicroelectronics STI30NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK。您可以下载STI30NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如STI30NM60N价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STI300N4F6是MOSFET N-Ch 40 V 1.4 mOhm 160A I2PAK STripFET，包括N沟道STripMOSFET系列，它们设计用于管封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供安装类型功能，如通孔，商品名设计用于STripET，以及I2PAK-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为95 ns，上升时间为98 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为160A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为190ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为240nC，沟道模式为增强。
STI24NM60N是MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.050717 oz。数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，其提供了晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si以及N沟道Mdmesh系列，该器件也可以用作168毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，设备采用I2PAK-3封装盒，设备具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为17A。
STI260N6F6是由ST制造的MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK。STI260N6F6TO-262-3长引线，I²Pak，TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH75V 120B I2PAK，N沟道75V 120C（Tc）300W（Tc）通孔I2PAK、Trans-MOSFET N-CH60V 120A 3引脚（3+Tab）I2PAK管。
STI270N4F3是ST制造的“MOSFET N-Ch”。STI270N4F3I2PAK封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET N-Ch、N沟道40V 160A（Tc）330W（Tc）通孔I2PAK、Trans MOSFET N-Ch 40V 120A汽车3引脚（3+Tab）I2PAK管、MOSFET N-Ch、40V-2.1欧姆160A”。
