9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR838DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR838DP-T1-GE3参考价格为1.664美元。Vishay Siliconix SIR838DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8。您可以下载SIR838DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR826DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIR826DP-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为104W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为80V，输入电容Cis-Vds为2900pF@40V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为60A（Tc），最大Id Vgs的Rds为4.8mOhm@20A、10V，Vgs的最大Id为2.8V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为90nC@10V，Pd功耗为104W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为8 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，Vgs第h栅极-源极端电压为2.8 V，Rds导通漏极-源极电阻为4.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为27.9nC，正向跨导最小值为80S，沟道模式为增强。
SIR836DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，具有0.017870 oz等单位重量特性，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为PowerPAKR SO-8，该设备以TrenchFETR系列提供，该设备具有19mOhm@10A，10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为19mOhms，功率最大值为15.6W，Pd功耗为15.6W；部件别名为SIR836DP-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR-SO-8，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Cis-Vds为600pF@220V，Id连续漏电流为21A，栅极电荷Qg Vgs为18nC@110V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id为25°C为21A（Tc）。
SiR836DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SiR836DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
