9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR876DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR876DP-T1-GE3参考价格为7.334美元。Vishay Siliconix SIR876DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8。您可以下载SIR876DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR876ADP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，零件别名如数据表注释所示，用于SIR876ADP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及ThunderFET TrenchFET商品名，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为62.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为1630pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为40A（Tc），最大Id Vgs的Rds为10.8 mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为2.8V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为49nC@10V，Pd功耗为62.5W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为16 ns，上升时间为16纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，第Vgs栅极源极阈值电压为2.8 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为10.8毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55纳秒，典型接通延迟时间为28纳秒，Qg栅极电荷为32.8纳秒，正向跨导最小值为54秒。
SIR872DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8，包括150 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.017870 oz单位重量运行，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供N沟道等晶体管极性特性，技术设计用于Si，以及SIRxxxDP系列，该器件也可以用作18毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，封装外壳为SO-8，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有53.7 a的Id连续漏电流。
SIR872ADP-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SIR872ADP-T1-GE3在PPAKSO-8封装中提供，是IC芯片的一部分，N通道150V 53.7A（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）表面贴装PowerPAK？SO-8，Trans MOSFET N-CH 150V 12.8A 8引脚PowerPAK SO T/R，MOSFET 150V18mOhms@10V53.7A N-通道T-FET。
