9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR878DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR878DP-T1-GE3参考价格为6.076美元。Vishay Siliconix SIR878DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8。您可以下载SIR878DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SIR878ADP-T1-GE3是MOSFET 100V14mOhm@10V40A N-Ch MV T-FET，包括SIRxxxADP系列，设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR878ADP-GE3，提供0.017870盎司等单位重量功能，安装样式设计用于SMD/SMT，以及ThunderFET TrenchFET商品名，该设备也可用作SO-8包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为44.5 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为14mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型导通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为13.9nC，并且前向跨导Min为44S，并且信道模式为增强。
SIR876DP-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8。SIR876DP-T1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8、N沟道100V 40V（Tc）5W（Ta）、62.5W（Tc）表面安装PowerPAK？SO-8，Trans MOSFET N-CH 100V 15.2A 8引脚PowerPAK SO T/R。
SIR878DP-T1，带有VISHAY制造的电路图。SIR878DP-T1在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
