9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS414DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS414DN-T1-GE3参考价格为1.492美元。Vishay Siliconix SIS414DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8。您可以下载SIS414DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIS413DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供TrenchFET功率MOSFET等商标功能，封装盒设计用于PowerPAKR 1212-8以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为4280pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为18A（Tc），最大Id Vgs的Rds为9.4mOhm@15A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为110nC@10V，Pd功耗为52W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为11ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-18A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为-1V至-2.5V，Rds漏极导通-源极电阻为9.4mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型导通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为35.4nC，正向跨导Min为50S，信道模式为增强。
SIS412DN-T1-GE3-W，带有Vishay制造的用户指南。SIS412DN-T1-GE3-W采用PowerPAK-1212-8封装，是IC芯片的一部分。
SIS412DN-TI-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SIS412DN-TI-GE3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
