9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW12NK60Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW12NK60Z价格参考$4.146。STMicroelectronics STW12NK60Z封装/规格：MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3。您可以下载STW12NK60Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW12N150K5是MOSFET N-CH 1500V 7A TO-247，包括MDmesh？K5系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式特征，包装盒设计用于to-247-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C～150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为250W，漏极到源极电压Vdss为1500V（1.5kV），输入电容Cis-Vds为1360pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为7A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为1.9 Ohm@3.5A，10V，Vgs最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为47nC@10V，Pd功耗为250 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为37 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为7 A，Vds漏极-源极击穿电压为1.5 kV，Vgs第th栅极-源阈值电压为3 V至5 V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.9欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90 ns，典型接通延迟时间为25 ns，Qg栅极电荷为47nC，信道模式为增强。
STW12NB60带有ST制造的用户指南。STW12NB40采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
STW12NC50，带有ST制造的电路图。STW12NC5 0采用TO247封装，是IC芯片的一部分。
STW12NC60采用STW12NC6制造的EDA/CAD模型。STW12NC60采用TO247封装，是IC芯片的一部分。
