9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS456DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS456DN-T1-GE3参考价格为1.984美元。Vishay Siliconix SIS456DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8。您可以下载SIS456DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIS454DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK，包括SISxxxDN系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在SIS454DN-GE3中使用的数据表注释中，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerPAK-1212-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有52 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为35 a，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1V至2.2V，Rds漏极-源极电阻为3mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为35nC，正向跨导Min为70S。
SIS448DN-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SIS448DN-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SIS456DN带有SI制造的电路图。SIS456DN以QFN1212-8封装形式提供，是FET的一部分-单个。
