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RDR005N25TL

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 540mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 455
  • 单价: ¥0.60696
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.61
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 250伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
  • 供应商设备包装 TSMT3
  • 包装/外壳 SC-96
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 500毫安 (Ta)
  • 最大功耗 540mW (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 70 pF @ 25 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.5 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 8.8欧姆 @ 250毫安, 10V

RDR005N25TL 产品详情

RDR005N25TL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RDR005N25TL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RDR005N25TL价格参考¥0.606955,你可以下载 RDR005N25TL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RDR005N25TL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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