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STW34NM60N是MOSFET N-CH 600V 29A TO-247，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有250W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为73 ns，上升时间为36 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为31.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为105mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为104ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为84nC。
STW35N60DM2带用户指南，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为21.2 ns，以及68 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为17 ns，器件的漏极-源极电阻为110 mOhms，Qg栅极电荷为54 nC，Pd功耗为210 W，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为28A，下降时间为10.7ns，配置为1N通道，通道模式为增强型。
STW34NM60ND是MOSFET N-CH 600V 29A TO-247，包括单一配置，它们设计为在29 a Id连续漏极电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，封装为管，器件提供190 W Pd功耗，器件具有110 mOhms的Rds漏极-源极电阻，串联为N沟道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为1.340411 oz，Vds漏极源极击穿电压为600 V，Vgs栅极-源极电压为25V。
