9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTB52N10T4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTB52N10T4G参考价格$1.208。onsemi NTB52N10T4G封装/规格：MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK。您可以下载NTB52N10T4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTB45N06LT4G是MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK，包括NTB45NO6L系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有125 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为158 ns，上升时间为341 ns，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为45 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为28mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为13ns，正向跨导最小值为22.8S，沟道模式为增强。
NTB45N06T4G是MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为33 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为NTB45N06系列，该器件的上升时间为101 ns，漏极电阻Rds为26 mOhms，Pd功耗为125 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为45 A，正向跨导最小值为16.6 S，下降时间为106 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
NTB52N10G是ON制造的MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK。NTB52N1G有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH100V 52A-D2PAK、Trans MOSFET N-CH200V 52A 3-Pin（2+Tab）D2PAK管。
