这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchildís专有的平面DMOS技术生产。
这种先进的技术已经特别定制，以最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率开关电源、功率因数校正和基于半桥的电子灯镇流器。
IRF840B
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 134W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 库存: 9000
- 单价: ¥28.37768
-
数量:
- +
- 总计: ¥28.38
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 500 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1800 pF @ 25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 53 nC @ 10 V
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 800毫欧姆 @ 4A, 10V
- 最大功耗 134W（Tc）
IRF840B 产品详情
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IRF840B所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF840B 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF840B价格参考￥28.377682，你可以下载 IRF840B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF840B规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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