9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF3717TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF3717TR参考价格$9.032。Infineon Technologies IRF3717TR封装/规格：MOSFET N-CH 20V 20A 8SO。您可以下载IRF3717TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF3717PBF是MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.4mOhms 22nC，包括管封装，它们设计为以0.019048盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOIC-8，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为20 A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极漏极-漏极电阻为5.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为22nC，沟道模式为增强。
IRF3711ZSPBF是由IR制造的MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK。IRF3711 ZSPBF有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH20V 92A D2PAK、N沟道20V 92A（Tc）79W（Tc）表面安装D2PAK、Trans MOSFET N-CH220V 92A 3-Pin（2+Tab）D2PAK等。
IRF3717是由IR制造的MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC。IRF37177可提供8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH20V 20A 8-SOIC，N沟道20V 20A（Ta）2.5W（Ta）表面安装8-SO。
