9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP47N10S33AKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP47N10S33AKSA1参考价格为1.508美元。Infineon Technologies IPP47N10S33AKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3。您可以下载IPP47N10S33AKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP45P03P4L-11是MOSFET P-Ch-30V-45A TO220-3 OptiMOS-P2，包括OptiMOS-P2系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP45P4L11AKSA1 IPP45PP4L11XK SP000396382，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 P通道，Pd功耗为58 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅极-源极电压为+5 V-16 V，Id连续漏极电流为-45 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs第th栅极-源极端电压为-1.5 V，Rds漏极电阻为9 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45 ns，典型接通延迟时间为7 ns，Qg栅极电荷为42nC，信道模式为增强。
IPP45N06S4L-08是MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3 OptiMOS-T2，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.211644盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于OptiMOS以及Si技术，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，漏极源极电阻Rds为7.9 mOhms，该器件采用IPP45N06S4L08AKSA1 IPP45NO6S4L08AK SA2 IPP45NO 6S4L08XK SP001028650零件别名，该器件具有一个包装管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为45 a。
IPP45N06S4L08AKSA2是MOSFET MOSFET，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。包装如用于管的数据表注释所示，提供部件别名功能，如IPP45NO6S4L-08 IPP45N6S4L08XK SP001028650，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
IPP45N06S409AKSA2是MOSFET MOSFET，包括管封装，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计用于IPP45NO6S4-09 IPP45N6S409XK SP001028648以及IPP45NO 6系列，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，信道数为1信道。
