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IRFML8244TRPBF是MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-23，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.25W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为430pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.8A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为24 mOhm@5.8A，10V，Vgs最大Id为2.35V@10μA，栅极电荷Qg Vgs为5.4nC@10V，Pd功耗为1.25 W，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，漏极-漏极电阻为41 mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为5.4nC。
IRFMG50是由IR制造的Trans-MOSFET N-CH 1KV 5.6A 3引脚（3+Tab）TO-254AA。IRFMG5采用TO-254封装，是模块的一部分，支持Trans-MOSMOSFET N-CH 1KV 5.6A 3-引脚（3+Tab）TO-254A。
IRFML8244GTRPBF，带有由IR制造的电路图。IRFML8224GTRPBB采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
IRFN150是由IR制造的Trans-MOSFET N-CH 100V 34A 3引脚SMD-1。IRFN150以SMD-1封装形式提供，是IC芯片的一部分，并支持Trans-MOSMOSFET N-CH 100 V 34A 3-引脚SM-1。
