RSH110N03TB1

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RSH100N03TB1是MOSFET N-CH 30V 10A SOP8，包括卷轴封装，它们设计为在0.030018盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如SOP-8，技术设计为在Si中工作，以及2 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃。此外，Id连续漏极电流为10A，器件提供的漏极-源极击穿电压为30V Vds，器件漏极-漏极电阻为13.5mOhms，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为6S。

RSH100N03TB，带有ROHM制造的用户指南。RSH100N03TB在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。

RSH110N03TB，电路图由10ROHM制造。RSH110N03TB在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。