9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB200NF04L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB200NF04L参考价格为1.162美元。STMicroelectronics STB200NF04L封装/规格：MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK。您可以下载STB200NF04L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB200NF03T4是MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK，包括STB200RF03系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为195 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为120 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为200S，沟道模式为增强。
STB200NF04带有ST制造的用户指南。STB200RF04采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
STB200NF04-1是由ST制造的MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK。STB200PF04-1可提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH40V 120V I2PAK、N沟道40V 120B（Tc）310W（Tc，通孔I2PAK）。
