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IRFR220TRPBF是MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为4.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为800m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为7.2ns，沟道模式为增强。
IRFR224是由IR制造的MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK。IRFR224有TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH250V 3.8B DPAK、N沟道250V 3.8C（Ta）2.5W（Ta）、42W（Tc）表面安装D-Pak、Trans-MOSFET N-CH 250 V 3.8A 3-Pin（2+Tab）DPAK。
IRFR224B是FSC制造的MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK。IRFR224B有TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 250V 3.8A DPak。
