STP165N10F4

规格参数

• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压标 (Vdss) 100伏
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 漏源电流 (Id) @ 温度 120A（Tc）
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
• 安装类别 通孔
• 包装/外壳 至220-3
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 180 nC@10 V
• 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
• 供应商设备包装 TO-220
• 部件状态 过时的
• 导通电阻 Rds(ON) 5.5毫欧姆 @ 60A, 10V
• 最大功耗 315W (Tc)
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10500 pF@25 V