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BSC014N03LS G是MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了零件别名，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的BSC014N01LSGATMA1 BSC014N02LSGXT SP000394677，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.6 ns，上升时间为8.6纳秒，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为34A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为51ns，典型接通延迟时间为13ns，沟道模式为增强。
BSC012N03LX3 G，带有INFINEON制造的用户指南。BSC012N03LX3 G采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
BSC014N03LS，带有INFINEON制造的电路图。BSC014N03LS采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
