9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP7N52DK3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP7N52DK3参考价格为2.256美元。STMicroelectronics STP7N52DK3封装/规格：MOSFET N-CH 525V 6A TO220AB。您可以下载STP7N52DK3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的产品，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STP7N52DK3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STP7N105K5带有引脚细节，包括MDmesh K5系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可用于1通道数的通道。此外，该配置是单一的，该器件提供110 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为1050 V，Vgs的栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-源极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为17.5ns，Qg栅极电荷为17nC，沟道模式为增强。
STP77N6F6是MOSFET N-Ch 60V 6.6mOhm 77A STripFET VI，包括60V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.011640盎司单位重量下工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，该器件也可以用作76nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为80W，器件采用管式封装，器件具有TO-220-3封装外壳，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为77 a。
STP78N75F4是由VB制造的MOSFET N-CH 75V 78A TO220。STP78N75mF4采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH75V 78A-TO220、N沟道75V 78A-（Tc）150W（Tc）通孔TO-220AB、Trans-MOSFET N-CH75 V 78A-3引脚（3+Tab）TO-220管。
STP7LN80K5采用ST.制造的EDA/CAD型号，是晶体管-FET、MOSFET-单个的一部分，并支持“MOSFET N沟道800V、N沟道800 V 5A（Tc）85W（Tc）通孔TO-220、Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3引脚（3+Tab）TO-220管、MOSFET N信道800 V、典型0.95欧姆、TO-220封装中的5 A MDmesh K5功率MOSFET。
