9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW19NM65N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW19NM65N价格参考1.652美元。STMicroelectronics STW19NM65N封装/规格：MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3。您可以下载STW19NM65N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW19NM60N是MOSFET N-Ch 600 V 0.27 Ohm 13 A MDmesh（TM），包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供安装类型功能，如通孔，商品名设计用于MDmesh，以及to-247-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为110 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏极电流为13A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为260mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为35nC，沟道模式为增强。
STW19NM50N是MOSFET N-CH 500V 14A TO-247，包括4 V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于2 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有串联的N沟道MDmesh，上升时间为16ns，Rds漏极-源极电阻为250mOhm，Qg栅极电荷为34nC，Pd功耗为110W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为2沟道，安装类型为通孔，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为14A，下降时间为17ns，配置为双漏极。
STW18NM80是MOSFET N-CH 800V 17A TO-247，包括单一配置，它们设计为在50 ns的下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于17 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-247-3，器件采用管封装，器件具有190 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为70 nC，Rds漏极-源极电阻为295 mOhm，上升时间为28 ns，系列为N沟道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N沟道型，晶体管类型为1 N沟道型，典型关断延迟时间为96ns，典型接通延迟时间为18ns，单位重量为1.340411oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为+/-30V。
