9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP80N20M5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP80N20M5参考价格$25.956。STMicroelectronics STP80N20M5封装/规格：MOSFET N-CH 200V 61A TO220AB。您可以下载STP80N20M5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP80N10F7是MOSFET N-CH 100V 80A TO-220，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有110 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为32 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为10mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为45nC。
STP80N06-10带有ST制造的用户指南。STP80N6-10采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
STP80N10是由ST制造的MOSFET N-CH 100V 80A TO-220。STP80E10以TO-220-3封装形式提供，是FET-Single的一部分，并支持MOSFET N-CH100V 80A-TO-220。
