9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW24NM65N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW24NM65N参考价格$3.692。STMicroelectronics STW24NM65N封装/规格：MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3。您可以下载STW24NM65N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW24NM60N是MOSFET N-CH 600V 17A TO247，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有125 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为37 ns，上升时间为16.5 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为17 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为73ns，典型接通延迟时间为11.5ns，Qg栅极电荷为46nC，沟道模式为增强。
STW24N60M2是MOSFET N-CH 600V 18A TO247，包括4 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为14 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh M2，器件的上升时间为9 ns，器件的漏极-源极电阻为190 mOhms，Qg栅极电荷为29 nC，Pd功耗为150 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为18 A，下降时间为61 ns。
STW24NM60是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 17A TO247。STW24MM60以TO-247-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 17A TO 247。
