9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP80N03S4L04AKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP80N03S4L04AKSA1参考价格为0.48000美元。Infineon Technologies IPP80N03S4L04AKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3。您可以下载IPP80N03S4L04AKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP80N03S4L-03是MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP80NO3S4L03AKSA1 IPP80NO 3S4L03XK SP000275328，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为136 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强型。
IPP80N03S4L-04是MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为37 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS-T2系列，上升时间为6 ns，漏极-源极电阻Rds为3.6 mOhms，Pd功耗为94 W，部件别名为IPP80N03S4L04AKSA1 IPP80NO3S4L04XK SP000274981，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP80N03S4L03AKSA1是MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表说明中显示了用于管的封装，该管提供部件别名功能，如IPP80N3S4L-03 IPP80N4L03HK SP000275328，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
IPP80CN10N是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 13A TO-220。IPP80CN10N采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 13A TO-220。
